# 主存 - 分类

随机存取存储器 (RAM, Random Access Memory)
- 静态 RAM (SRAM)
  - 基于晶体管的存储单元，读写速度快但容量小
  - 通常用作 CPU 的高速缓存
- 动态 RAM (DRAM)
  - 基于电容的存储单元，容量大但读写速度相对较慢
  - 是主存储器的主要形式
只读存储器 (ROM, Read-Only Memory)
- 标准 ROM
  - 在制造过程中就写入固定的数据，通常用于存储 BIOS 程序
- 可编程 ROM (PROM)
  - 用户可以一次性编程，之后就不可修改
- 可擦除可编程 ROM (EPROM)
  - 可以用紫外线光照擦除内容，然后重新编程
- 电可擦除可编程 ROM (EEPROM)
  - 可以用电信号擦除内容，然后重新编程
  - 特别适用于需要更新的场合
其他类型
- 闪存 (Flash Memory)
  - 一种特殊的 EEPROM, 可以按扇区擦除和编程
  - 容量大、功耗低、访问速度快，广泛应用于移动设备
- 磁芯存储器
  - 利用磁性材料存储数据，读写速度较慢但可靠性高
- 电荷耦合器件 (CCD) 存储器
  - 利用电荷转移的原理存储数据，主要用于图像传感

# 主存 - 编址

主存编址基本概念:
- 1 bit 是一个比特位
- 1 B (字节) = 8 bit
- 1 KB = 1024 B
- 1 MB = 1024 KB
- 1 GB = 1024 MB
主存编址计算公式:
- 存储单元个数计算公式：存储单元个数 = 最大地址 - 最小地址 + 1
- 按字编址：最小寻址单位是一个字
- 按字节编址：最小寻址单位是一个字节
- 总容量 = 存储单元个数 * 编址内容
- 总片数 = 总容量 / 每片的容量